| نوع نصب | DIP |
|---|---|
| Package | TO-18 |
| نوع | صنعتی |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور silicon مکمل دار |
| دمای کاری(سانتیگراد) | -65 to 200 |
| پهنای باند ترانزیستور(MHz) | 150 |
| نوع ترانزیستور | NPN |
| حداکثر Ic (آمپر) | 0.1 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 1 |
| حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 150 |
| حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 400 |
| حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 50 |
| حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 200 |
| حداکثر ولتاژ VCEO به ( ولت ) | 45 |
| حداکثر VCBO به( ولت ) | 45 |
| حداکثر Hfe | 1000 |
| حداقل Hfe | 60 |
| حداکثر ولتاژ Vbe به ( ولت ) | 1.2 |
| حداکثر VEBO به ( ولت ) | 7 |
| VCEsat | 0.7 |
| ظرفیت خازنی کلکتور Cc به ( پیکو فاراد ) | 5 |
| ظرفیت خازنی امیتر Ce به ( پیکو فاراد ) | 15 |
| حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) | 200 |
| حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off کلکتور Icbo به ( میکرو آمپر ) | 10 |
| حداکثر جریان پیک بیس Ibm به ( میلی آمپر ) | 0.2 |
| حداقل ولتاژ بیس– امیتر Vbe به ( ولت ) | 0.6 |
| حداکثر جریان قطع یا جریان cut-off امیتر Iebo به ( میکرو آمپر ) | 0.01 |
ترانزیستور bcy59 یک ترانزیستور BJT سیلیکونی مکمل دار با کاربرد در ساخت تقویت کننده و مصارف سوییچینگ نوع NPN با تحمل توان 45 ولت و جریان 100 میلی آمپر. جزییات بیشتر
برای ثبت دیدگاه، لازم است ابتدا وارد حساب کاربری خود شوید. اگر این محصول را قبلا از این فروشگاه خریده باشید، دیدگاه شما به عنوان مالک محصول ثبت خواهد شد.
تهران، پایین‌تر از میدان شهدا، خ 17 شهریور، نبش کوچه فیاض بخش
کلیه حقوق مادی و معنوی برای شرکت شهر قطعات الکترونیک محفوظ می باشد و هرگونه کپی برداری شامل پیگرد قانونی می باشد.
دیدگاهها0
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.