| پارت نامبر | SCT2H12NZ |
|---|---|
| سازنده | Rohm Semiconductor |
| تکنولوژی Technology | SiC |
| نوع نصب Mounting Type | Through Hole |
| کیس / پکیج Case/Package | TO-3PFM-3 |
| تعداد کانال ها Number of Channels | 1 Channel |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 1.7 kV |
| جریان تخلیه مداوم (ID) Continuous Drain Current (ID) | 3.7 A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) | 1.15 Ohms |
| ولتاژ گیت به منبع (Vgs) Gate to Source Voltage (Vgs) | – 6 V, + 22 V |
| ولتاژ آستانه گیت Gate Threshold Voltage | 1.6 V |
| شارژ گیت (Qg) Gate Charge (Qg) | 14 nC |
| حداقل دمای عملیاتی Min Operating Temperature | – 55 C |
| حداکثر دمای عملیاتی Max Operating Temperature | + 175 C |
| اتلاف توان Power Dissipation | 35 W |
| پکیجینگ (بسته بندی) Packaging | Tube |
| پیکربندی Configuration | Single |
| زمان نزول Fall Time | 74 ns |
| نوع محصول Product Type | MOSFET |
| زمان برخاستن Rise Time | 21 ns |
| سری ها Series | SCT2x |
| نوع ترانزیستور Transistor Type | 1 N-Channel |
| تایپ Type | N-Channel SiC Power MOSFET |
| زمان تاخیر خاموش کردن Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| زمان تاخیر روشن کردن Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Unit Weight | 11.405 g |
N-Channel SiC Power MOSFET
برای ثبت دیدگاه، لازم است ابتدا وارد حساب کاربری خود شوید. اگر این محصول را قبلا از این فروشگاه خریده باشید، دیدگاه شما به عنوان مالک محصول ثبت خواهد شد.
کلیه حقوق مادی و معنوی برای شرکت شهر قطعات الکترونیک محفوظ می باشد و هرگونه کپی برداری شامل پیگرد قانونی می باشد.
دیدگاهها0
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.