| پارت نامبر | IRF5210LPbF |
|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies |
| سری ها Series | HEXFET® |
| پکیج Package | Tube |
| نوع FET FET Type | P-Channel |
| تکنولوژی Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| جریان تخلیه مداوم (ID) Continuous Drain Current (ID) | 38A (Tc) |
| ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On Max | 60mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs(th) (Max) Vgs(th) (Max) | 4V @ 250µA |
| شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
| ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 25 V |
| حداکثر اتلاف توان Max Power Dissipation | 3.1W (Ta), 170W (Tc) |
| دمای کارکرد Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع نصب Mounting Type | Through Hole |
| بسته دستگاه تأمین کننده Supplier Device Package | TO-262 |
| کیس / پکیج Case/Package | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
MOSFET P-CH 100V 38A TO262
برای ثبت دیدگاه، لازم است ابتدا وارد حساب کاربری خود شوید. اگر این محصول را قبلا از این فروشگاه خریده باشید، دیدگاه شما به عنوان مالک محصول ثبت خواهد شد.
تهران، پایینتر از میدان شهدا، خ 17 شهریور، نبش کوچه فیاض بخش
کلیه حقوق مادی و معنوی برای شرکت شهر قطعات الکترونیک محفوظ می باشد و هرگونه کپی برداری شامل پیگرد قانونی می باشد.
دیدگاهها0
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.