| نوع نصب | DIP |
|---|---|
| Package | TO-220 |
| نوع | صنعتی |
| نوع عملکرد(Function Type) | ترانزیستور فدرت MOSFET |
| دمای کاری(سانتیگراد) | -55 to 150 |
| نوع ترانزیستور | N-Channel |
| حداکثر Vds (ولت) | 500 |
| حداکثر Vgs به (ولت) | 30 |
| حداکثر Id (آمپر) | 10 |
| حداکثر توان مصرفی ( وات ) | 143 |
| حداکثر (Vgs(th به ( ولت ) | 2 |
| rdsON به (اهم) | 0.68 |
| حداکثر (td(ON به ( نانو ثانیه ) | 67 |
| حداکثر (td(OFF به ( نانو ثانیه ) | 290 |
| حداکثر زمان خیز Tr به ( نانو ثانیه ) | 170 |
| حداکثر زمان فرود Tf به ( نانو ثانیه ) | 165 |
| حداکثر زمان بازیابی معکوس Trr به ( نانو ثانیه ) | 50 |
| ولتاژ شکست درین سورس BVdss به ( ولت ) | 500 |
| ظرفیت خازنی ورودی Ciss به ( پیکو فاراد ) | 2096 |
| ظرفیت خازنی خروجی Coss به ( پیکو فاراد ) | 230 |
| ظرفیت خازنی انتقال معکوس Crss به ( پیکو فاراد ) | 24 |
| شارژ گیت به سورس Qgs به ( nC ) | 7.5 |
| شارژ گیت به درین “اثر میلر” Qgd به ( nC ) | 18.5 |
| حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال محیط ( درجه سانتیگراد بر وات ) | 62.5 |
| حداکثر مقاومت انتقال حرارتی اتصال به بدنه کیس ( درجه سانتیگراد بر وات ) | 0.83 |
| حداکثر شارژ بازیابی معکوس QRR به ( uC ) | 0.1 |
| حداکثر دمای اتصال Tj به ( درجه سانتی گراد ) | 150 |
| حداکثر جریان نشتی گیت به سورس Igss (± نانو آمپر ) | 100 |
| حداکثر جریان پیوسته سورس به درین Isd به ( آمپر ) | 10 |
| حداکثر جریان پالسی سورس به درین Isdm به ( آمپر ) | 40 |
| حداقل (Vgs(th به ( ولت ) | 10 |
| حداکثر جریان درین ( Id ) | 10 |
ترانزیستور 10N50 یک ترانزیستور قدرت MOSFET نوع N-CHANNEL با تحمل ولتاژ 500 ولت و جریان 10 آمپر برای کاربرد در سیستم های قدرت سوییچینگ و اصلاح کسینوس فی و مدارات بالاست لامپ . جزییات بیشتر
برای ثبت دیدگاه، لازم است ابتدا وارد حساب کاربری خود شوید. اگر این محصول را قبلا از این فروشگاه خریده باشید، دیدگاه شما به عنوان مالک محصول ثبت خواهد شد.
تهران، پایینتر از میدان شهدا، خ 17 شهریور، نبش کوچه فیاض بخش
کلیه حقوق مادی و معنوی برای شرکت شهر قطعات الکترونیک محفوظ می باشد و هرگونه کپی برداری شامل پیگرد قانونی می باشد.
دیدگاهها0
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.