☀️ شهر قطعات الکترونیک ☀️

سبد خرید
0

سبد خرید شما خالی است.

حساب کاربری

یا

حداقل 8 کاراکتر

ترانزیستور 225 میلی وات MMBT5551 – BJT

پارت نامبر MMBT5551
سازنده AnBon
Collector Cut-Off Current (Icbo) 50nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
Power Dissipation (Pd) 225mW
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 80@10mA,5V
Collector Current (Ic) 600mA
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
نوع ترانزیستور Transistor Type NPN
دمای کارکرد Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)

دیتاشیت

موجود است

تماس بگیرید

آماده ارسال
گزارش نادرستی مشخصات
آیا قیمت مناسب‌تری سراغ دارید؟
بلیخیر
نقد و بررسی اجمالی

50nA 160V 225mW 80@10mA,5V 600mA 200mV@50mA,5mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors – BJT ROHS

نمایش ادامه مطلب
نظرات کاربران
دیدگاهها0
  • جدیدترین
  • مفیدترین
  • دیدگاه خریداران

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

5
4
3
2
1
0.0

بر اساس 0 دیدگاه

نظر خود را در مورد این محصول بنویسید ... افزودن دیدگاه
افزودن به سبد خرید